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宝存科技阳学仕:独特SSD架构和共享机制实现12.8T大容量闪存卡应用

发布时间:2016-12-02 10:28      点击:     关注官方微博:

在11月24日“2016 GITC全球互联网技术大会”上,宝存科技推出全球最大容量的PCIe闪存卡--Shannon Direct-IO PCIe Flash单卡,最大容量可达12.8T(实际容量)。ZD至顶网记者发现,现场发布的三款新的闪存卡皆采用先进的3D NAND技术,在容量和性能上相较于此前的系列都有着非常大的提升。宝存科技正是看到了3D NAND在未来企业级应用中的趋势,在突破2D NAND闪存物理极限的同时,凭借其长期在原生PCIe研发方面的优势,将3D NAND技术应用于其全线产品中。

宝存科技阳学仕:独特SSD架构和共享机制实现12.8T大容量闪存卡应用

 

上海宝存信息科技有限公司(Shannon Systems)CEO阳学仕

现场,上海宝存信息科技有限公司(Shannon Systems)CEO阳学仕谈到,从2011年成立以来,宝存科技一直致力于固态闪存产品。2014年宝存科技对外发布当时全球最大容量6.4TB的PCIe固态闪存卡——Direct-IO PCIe Flash,到2016年推出12.8T的Shannon Direct-IO PCIe Flash 新品。宝存科技每次能够最快推出最大容量的闪存单卡,是因为宝存科技拥有独特的扩展SSD架构--Shannon Direct-IO SSD可扩展的架构。如果在2017年,3D NAND闪存芯片尺寸再次翻倍至512Gb /芯片。那么Shannon Direct-IO PCIe Flash能够实现控制器完全兼容平滑扩展到25.6T的容量(实际容量)。

大家比较担心这么大的容量,如何实现有效利用?阳学仕表示宝存科技的闪存卡还有一个特点是能够实现容量和性能共享,在远程服务器的不同应用程序实例之间实现容量和性能的共享机制。这样其大容量的优势才有了真正的实用价值。

宝存科技阳学仕:独特SSD架构和共享机制实现12.8T大容量闪存卡应用

宝存科技还展示了其在不同应用场景的闪存卡。包括PCIe固态闪存卡、960GB and 1.92TB NVMe SSD、和SATA3 SSD针对高中低端不同市场的产品。

宝存科技阳学仕:独特SSD架构和共享机制实现12.8T大容量闪存卡应用

 

Shannon Direct-IO PCIe Flash单卡,最大容量可达12.8T

其中全新的Shannon Direct-IO PCIe固态闪存卡在高可靠性和高可塑性也很有优势,是一款专为解决高性能应用中的IO瓶颈而量身定制的企业级存储产品。其基于专业大规模并行多处理器的闪存控制器,能够最大限度地减少中间环节和资源冲突,实现最低时延70μs RR 、9μs RW,功耗峰值低于25W,实现了业界领先的系统稳定性及性能一致性。

可靠性方面,宝存科技利用高信号处理技术及RAID技术确保了数据安全可靠存储。而完善的容错纠错检错机制更提供了端到端的数据保护,确保了企业级应用的高可靠性。同时,宝存科技利用DRAM-less设计,确保极少量的控制器内部缓存在突发掉电时自动安全刷入闪存,保护突发状况下的数据完整安全。

对于闪存卡寿命问题,Direct-IO PCIe固态闪存卡在设计中利用了自适应处理及动态数据和负载跟踪技术,最小化写放大因子,最大化系统寿命,保证了该系列产品在每天五次全盘写的情况下,使用寿命可达3年。

物理形态方面,此次发布的Direct-IO PCIe Flash采用了标准的半长全高PCIe卡和PCIe 2.0×8接口,能和所有现代机架式或机箱式服务器兼容。软件上提供标准化块设备接口,应用程序无需改动即可轻松获得十倍甚至百倍的性能提升。

另外,宝存科技此次还专们推出了一款面向企业级应用的U.2标准接口闪存卡——Shannon Direct-IO PCIe Flash-U.2,其容量扩至9.6T,是目前全球U.2 SSD单卡最大容量。

新产品NVMe 全线闪存产品结合先进的3D NAND Flash技术。相比Direct-IO PCIe Flash基于标准PCIe的高度可定制化架构,宝存科技此次发布的遵循NVMe标准的PCIe Flash产品则拥有更好地通用性。Shannon Hyper-IO NVMe SSD是基于宝存科技高度定制的NVMe ASIC控制器的企业级SSD,外型为2.5英寸物理盘,支持标准化U.2接口,目前单卡最高容量可达2TB。由于其结合了最先进的3D NAND Flash技术,可以为企业和超大规模数据中心客户大幅度节约采购成本和维护费用。

宝存科技阳学仕:独特SSD架构和共享机制实现12.8T大容量闪存卡应用

 

Shannon Hyper-IO NVMe SSD

此次发布的Shannon Hyper-IO NVMe Flash G5产品,在性能方面,Hyper-IO NVMe SSD 的顺序读取带宽高达2.2GB/s,顺序写入带宽高达 1GB/s,相对于传统的SATA协议,NVMe协议降低了访问延迟达70%,同时提供随机IOPS(4KB)超过120K,而包揽这些性能所需配备峰值功率不超过6W。具体性能如下:

低延迟:采用优化的控制器设计的NVMe接口能够实现低延迟, Hyper-IO NVMe SSD可以达到125μs 4KB随机读延迟和15μs 4KB随机写延迟。

高IOPS:Hyper-IO NVMe SSD的控制器采用多核心处理架构,能提供超过120K的随机读写IOPS(4KB),满足了企业关键任务与大规模数据中心应用的苛刻要求。

超低功率:在典型的工作负载下, Hyper-IO NVMe SSD功率不超过6W;在低负荷状态时,Hyper-IO NVMe SSD 的消耗功率小于2.5W,极大程度降低了数据中心的电力维护成本。

突发掉电保护:Hyper-IO NVMe SSD 采用工业级的超级电容器和专用的硬件电路,在突然断电发生时,能提供全面的数据保护。无论是电源故障,还是服务器崩溃,Hyper-IO NVMe SSD都能保证数据的完整性。

宝存科技阳学仕:独特SSD架构和共享机制实现12.8T大容量闪存卡应用

宝存科技通过此次发布的Direct-IO PCIe和Hyper-IO NVMe新品,实现了两条PCIe产品线的构建,加之固有的SATA SSD产品,满足了不同用户对不同应用场景的性能需求。

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