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美光第二代3D NAND闪存将至 容量更大价格更低

发布时间:2016-12-22 11:34      点击:     关注官方微博:

导读:美光公布消息称第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工厂开始生产,相比目前的32层堆栈,第二代3D NAND闪存堆栈层数提升到64层,容量进一步提高,成本也会进一步降低30%。

今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司,他们本周一正式收购了华亚科公司,内存业务如虎添翼,而闪存方面,美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存,第一代3D NAND闪存的成本也符合预期,堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了,今年底就要大规模量产了。

美光第二代3D NAND闪存将至 容量更大价格更低

对于3D NAND闪存,我们并不陌生,现在市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存,不论是性能还是容量或者是写入寿命,3D NAND闪存都要比传统2D NAND闪存好得多,厂商也会借此降低成本,提高产量。以美光为例,他们的2D NAND闪存主力是16nm工艺的,MLC/TLC闪存的核心容量不过128Gb,而3D NAND技术的MLC闪存核心容量就有256Gb,TLC更是达到384Gb,大大高于2D NAND闪存。

在转向3D NAND方面,实力最强的三星跑得最快,东芝/闪迪、SK Hynix次之,Intel和美光公司算是比较慢的了,不过一旦3D NAND闪存开始量产,由于容量先天性的优势,产能超过2D NAND闪存是迟早的事。美光CFO Ernie Maddock在参加巴克莱银行全球技术、媒体及通讯大会上就确认,该公司的3D NAND闪存产能与2D NAND闪存已经来到拐点上,也就是说3D闪存的产能(以bit容量计)要超过2D NAND闪存了。

美光第二代3D NAND闪存将至 容量更大价格更低
美光第一代3D NAND闪存成本比2D NAND闪存至少降低20%

Ernie Maddock还提到他们第一代3D NAND闪存在降低成本上已经达到预期目标,此前美光在今年上半年的路线图上指出3D NAND闪存比2D NAND降低至少20%的成本,现在已经实现了20-25%的成本降低。

美光第二代3D NAND闪存将至 容量更大价格更低
美光第二代3D NAND闪存也即将量产

对美光来说,好事还不止这一件,他们的第二代3D NAND闪存也要量产了,早前美光公布消息称第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工厂开始生产,相比目前的32层堆栈,第二代3D NAND闪存堆栈层数提升到64层,容量进一步提高,成本也会进一步降低30%。

 

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